مشخصات
- وزن10 گرم
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفیUp to 1,600,000 IOPS
- کنترل کنندهSamsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفیUp to 1,550,000 IOPS
- نوع رابط حافظهPCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- ظرفیتچهار ترابایت
- حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک1500G
- میانگین عمر1.5 میلیون ساعت
- نوع فلشTLC
- قابلیت‌های حافظهپشتیبانی از TRIM
- سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبیUp to 6,900 MB/s
- سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبیUp to 7,450 MB/s
- قابلیت‌های مقاومتیمقاوم در برابر شوک
- سرعت انتقال اطلاعات10 گیگابیت بر ثانیه
- مصرف برقAverage: 6.5 W
- رابط‌هاPCI-Express 4.0 x4
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.